极紫外光刻(英语：Extremeultravioletlithography，也称 EUV 或 EUVL)是一种使用极紫外(EUV)波长的下一代光刻技术，其波长为 13.5 纳米，预计将于 2020 年得到广泛应用。几乎所有的光学材料对 13.5nm 波长的极紫外光都有很强的吸收，因此，EUV 光刻机的光学系统只有使用反光镜。

与常用光源相比，采用 EUV 的系统能让芯片电路更加微缩，但其相应的制造成本也跟着水涨船高。主要由于 EUV 光刻设备价格高昂。

ASML 称，第 3 季光售出 7 套 EUV 系统就进帐 7.43 亿欧元，等于每套系统要价超过 1 亿欧元。这还不包括半导体制程控管与测试设备成本。因此，晶圆代工龙头厂商资本支出大增成为趋势。

台积电 10 月召开业绩发布会时宣布今年资本支出达 140 亿至 150 亿美元，高于原先设定目标近 40%，创下台积电单年资本支出最高纪录。英特尔随后宣布加码 3%，今年资本支出目标达 160 亿美元，创公司成立以来最高纪录，比两年前高出 36%。

三星也在上周宣布，今年半导体事业资本支出约 200 亿美元。三星公布的金额略少于去年，但业内分析师表示，三星今年大幅减少投资存储器生产，是为了将更多的资源投入下一代晶圆代工厂。

另一个晶圆制造大厂，也就是英特尔，其 10nm 的晶体管密度基本已经达到台积电 / 三星的 7nm EUV 水平，而其使用的制程仅仅只是和台积电类似的多重显影 DUV 技术，而其未来的 7nm 才会真正引入 EUV 技术，借以实现更高的晶体管密度，但根据市场预测，英特尔的 7nm 技术能实现的晶体管密度可能和三星的 5nm 大同小异，而同样会落后于台积电的 5nm。

晶圆代工厂资本支出大增的同时，意味着半导体设备厂将获益良多。ASML 表示，第 3 季单季接 23 套 EUV 系统订单，创单季订单金额最高记录;半导体制程控管设备制造商科磊上周公布，会计年度第 1 季营收年增率达 29%，并表示 EUV 投资是业绩增长的主要因素。

据悉，明年 EUV 需求预料更加旺盛，半导体设备厂前景向好。