基辛格表示，英特尔将在4年内提高5个“节点”的生产能力，也就是5种晶体管尺寸，以迎头赶上。

多年来，英特尔一直是半导体制造技术的领导者，一直在生产世界上晶体管密度最大的芯片。但是近年来，英特尔已被台积电和三星超越，后者目前可以生产包含5纳米晶体管的处理器，而英特尔仍停留在10纳米和7纳米技术上。在基辛格上任后，英特尔的核心公司目标之一是重回“性能领先”的地位。

在今天凌晨开始的创新大会上，CEO基辛格强调摩尔定律不会死，还会活得很好：“摩尔定律——至少在未来的十年里依然有效。英特尔将一往无前，挖掘元素周期表中的无限可能，持续释放硅的神奇力量。”

基辛格表示，英特尔将在4年内提高5个“节点”的生产能力，也就是5种晶体管尺寸，以迎头赶上。Mxzednc

这五代工艺分别是Intel7、Intel4、Intel3、Intel20A及Intel18A，其中Intel7就是去年底12代酷睿上首发的工艺，13代酷睿也会继续用，明年则会升级Intel4，首次支持EUV光刻工艺。

不过Intel真正在工艺上再次领先的是20A及18A两代工艺，从20A开始进入埃米级节点，放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管，相当于友商的2nm、1.8nm水平。

同时Intel也会在20A、18A上首发两大突破性技术，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。Mxzednc

该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

Intel18A制程PDK0.3版本现在已经被早期设计客户采用（PDK也就是工艺设计工具包），测试芯片正在设计中，将于年底流片。英特尔希望到2030年在一个芯片封装上可以有1万亿个晶体管。