全球AI基础设施投资持续升温的大背景下，存储芯片市场又又又迎来新一轮的价格攻势。

　　从2025年全年DRAM价格涨幅高达386%，到2026年Q1合约价环比上涨90%~95%，再到眼下第三季度的涨价通知陆续落地，整个存储赛道的涨价节奏正在持续加速。

　　三星电子是这轮涨价的急先锋。据韩媒披露，三星正与下游核心客户就2026年第三季度通用DRAM内存价格展开谈判，其内部设定的目标是将产品平均销售价格（ASP）环比提升约20%。其中面向智能手机和服务器市场的LPDDR低功耗内存，受当前严峻的供应瓶颈影响，涨幅可能突破20%。与此同时，三星同期规划的NAND闪存合约价格，环比涨幅也将达到10%至15%。这已经是三星在2026年发起的第三次涨价动作，此前两个季度其DRAM合约价就已经分别实现了90%、50%-60%的惊人涨幅。

　　另外，威刚科技（ADATA）董事长陈立白公开表示，2026年第三季度内存（DRAM）与闪存（NAND Flash）价格将再度迎来大幅上调，目前存储器原厂已经正式通知，第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash则同步调涨35%至40%，两大核心产品线涨势完全明确，整个存储产业的上行通道正在进一步提速。

　　而聚辰股份此前就针对Nor Flash产品发布调价通知，宣布自7月6日起全系列产品涨价25%，所有新订单以及尚未交付的存量订单，全部按照新价格执行。

　　针对本轮涨价的后续走势，不同第三方机构也给出了差异化的预判。TrendForce集邦咨询相对保守，预计第三季度DRAM合约价环比上涨13%-18%，NAND Flash涨幅为10%-15%，同时指出消费端需求下修和高基数效应，正在对整体涨价幅度形成一定牵制。

　　而瑞银在最新发布的报告中大幅上调了存储芯片价格预期，认为DRAM报价会在第三季度上涨32%、第四季度继续上涨18%；NAND Flash报价则会在第三季度上涨30%，第四季度再收获12%的涨幅。

　　Jefferies的最新研报则更为激进，直接预警DRAM和NAND价格可能在2026年第三季度环比上涨40%至50%，第四季度继续上涨30%至40%，整个供应紧张的局面要到2028年才有可能真正得到缓解。

　　追根溯源，新一轮存储涨价的核心动因，还是来自AI需求对存储产能形成的“黑洞效应”。随着多模态大模型的快速普及，全球各地的AI数据中心项目持续落地，作为AI服务器核心算力底座的HBM（高带宽内存），不仅利润率达到消费级存储的3至5倍，单颗产品消耗的晶圆资源更是约为DDR5的4至5倍。

　　在高利润的驱动下，三星、SK海力士、美光这全球三大存储原厂，已经将70%的新增产能向HBM倾斜，即便如此，当前HBM的整体产能缺口仍然高达50%至60%。

　　大量产能被AI赛道“吞噬”，直接挤压了手机、PC等消费电子领域的存储供给，终端产品价格自然水涨船高。集邦数据显示，12GB手机内存成本从200元跳涨到600元，1TB闪存单价直接翻三倍。终端市场的价格传导已经显现，热门游戏本半年涨幅超5000元，叠加补贴后高配本仍普遍破万；RTX5070显卡从去年的4500-5000元涨到6000-6500元，RTX5080更是从8000元攀升至近12000元。

　　简言之，存储芯片的“又又又”涨价，表面是价格，里子还是AI算力的战争。